
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.998531 | ¥2995.59 |
| 6000 | ¥0.913363 | ¥5480.18 |
| 9000 | ¥0.869863 | ¥7828.77 |
| 15000 | ¥0.820997 | ¥12314.95 |
| 21000 | ¥0.792082 | ¥16633.72 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
产品 MOSFETs
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 69 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 9.3 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 63 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0SSM3K341R,LF
型号:SSM3K341R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.998531 |
| 6000+: | ¥0.913363 |
| 9000+: | ¥0.869863 |
| 15000+: | ¥0.820997 |
| 21000+: | ¥0.792082 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00