SI2312BDS-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI2312BDS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：40692
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.512193 | ￥8.51 |
| 10 | ￥7.274056 | ￥72.74 |
| 100 | ￥5.0516 | ￥505.16 |
| 500 | ￥3.944395 | ￥1972.20 |
| 1000 | ￥3.206002 | ￥3206.00 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2312BDS-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
31mOhm @ 5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
850mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
750mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-23-3 (TO-236)
封装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2312BDS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2312BDS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI2312BDS-T1-GE3、查询SI2312BDS-T1-GE3代理商；
SI2312BDS-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI2312BDS-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI2312BDS-T1-GE3
替代型号
、SI2312BDS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2312BDS-T1-GE3
型号：SI2312BDS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：40692 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.512193 |
| 10+： | ￥7.274056 |
| 100+： | ￥5.0516 |
| 500+： | ￥3.944395 |
| 1000+： | ￥3.206002 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.51