SI2312BDS-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI2312BDS-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：42241
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.853396 | ￥6.85 |
| 10 | ￥5.856538 | ￥58.57 |
| 100 | ￥4.067179 | ￥406.72 |
| 500 | ￥3.17574 | ￥1587.87 |
| 1000 | ￥2.581238 | ￥2581.24 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2312BDS-T1-BE3 SI2312BDS-E3
单位重量 8 mg
SI2312BDS-T1-E3 同类别型号
注
SI2312BDS-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI2312BDS-T1-E3
数据手册PDF。
SI2312BDS-T1-E3
型号：SI2312BDS-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：42241 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.853396 |
| 10+： | ￥5.856538 |
| 100+： | ￥4.067179 |
| 500+： | ￥3.17574 |
| 1000+： | ￥2.581238 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.85