2SB1124S-TD-E
库存 ：1934
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.933584 | ￥7.93 |
| 10 | ￥7.012722 | ￥70.13 |
| 25 | ￥6.590541 | ￥164.76 |
| 100 | ￥4.781401 | ￥478.14 |
| 250 | ￥4.61168 | ￥1152.92 |
| 500 | ￥3.995125 | ￥1997.56 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极—基极电压 - 60 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 350 mV
最大直流电集电极电流 - 3 A
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 150 MHz
集电极连续电流 3 A
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 51.600 mg
2SB1124S-TD-E 同类别型号
注
2SB1124S-TD-E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SB1124S-TD-E
数据手册PDF。
2SB1124S-TD-E
型号：2SB1124S-TD-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：1934 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.933584 |
| 10+： | ￥7.012722 |
| 25+： | ￥6.590541 |
| 100+： | ￥4.781401 |
| 250+： | ￥4.61168 |
| 500+： | ￥3.995125 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.93