BFU660F,115
库存 ：5659
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.377083 | ￥9.38 |
| 10 | ￥7.99216 | ￥79.92 |
| 100 | ￥5.968154 | ￥596.82 |
| 500 | ￥4.689696 | ￥2344.85 |
| 1000 | ￥3.623884 | ￥3623.88 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 Si
晶体管极性 NPN
直流集电极 90
击穿电压(集电极-发射极) 5.5 V
发射极 - 基极电压 2.5 V
集电极连续电流 30 mA
配置 Single
增益带宽产品 21 GHz
耗散功率 225 mW
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Bipolar Small Signal
零件号别名 934064611115
单位重量 6.665 mg
BFU660F,115 同类别型号
注
BFU660F,115品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
，可在锐单商城现货采购BFU660F,115、查询BFU660F,115代理商；
BFU660F,115价格批发咨询客服；这里拥有
BFU660F,115中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到BFU660F,115
替代型号
、BFU660F,115
数据手册PDF
。
BFU660F,115
型号：BFU660F,115
品牌：NXP
供货：锐单
库存：5659 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.377083 |
| 10+： | ￥7.99216 |
| 100+： | ￥5.968154 |
| 500+： | ￥4.689696 |
| 1000+： | ￥3.623884 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.38