BFU660F,115
库存 ：5659
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.17834 | ￥8.18 |
| 10 | ￥6.970462 | ￥69.70 |
| 100 | ￥5.205199 | ￥520.52 |
| 500 | ￥4.090176 | ￥2045.09 |
| 1000 | ￥3.160615 | ￥3160.61 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 Si
晶体管极性 NPN
直流集电极 90
击穿电压(集电极-发射极) 5.5 V
发射极 - 基极电压 2.5 V
集电极连续电流 30 mA
配置 Single
增益带宽产品 21 GHz
耗散功率 225 mW
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Bipolar Small Signal
零件号别名 934064611115
单位重量 6.665 mg
BFU660F,115 同类别型号
注
BFU660F,115品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、BFU660F,115
数据手册PDF
。
BFU660F,115
型号：BFU660F,115
品牌：NXP
供货：锐单
库存：5659 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.17834 |
| 10+： | ￥6.970462 |
| 100+： | ￥5.205199 |
| 500+： | ￥4.090176 |
| 1000+： | ￥3.160615 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.18