IMB3AT110
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.948415 | ￥2845.24 |
| 6000 | ￥0.89092 | ￥5345.52 |
| 15000 | ￥0.833495 | ￥12502.42 |
| 30000 | ￥0.813403 | ￥24402.09 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 4.7 kOhms
直流集电极 100
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极连续电流 - 100 mA
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 300 mW
发射极 - 基极电压 - 5 V
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
零件号别名 IMB3A
单位重量 100.667 mg
IMB3AT110 同类别型号
注
IMB3AT110品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-双极
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替代型号
、IMB3AT110
数据手册PDF。
IMB3AT110
型号：IMB3AT110
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.948415 |
| 6000+： | ￥0.89092 |
| 15000+： | ￥0.833495 |
| 30000+： | ￥0.813403 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00