NSTB1002DXV5T1G
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起订量：4000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ￥1.310407 | ￥5241.63 |
| 8000 | ￥1.281186 | ￥10249.49 |
| 12000 | ￥1.134795 | ￥13617.54 |
| 28000 | ￥1.120186 | ￥31365.21 |
| 100000 | ￥0.937059 | ￥93705.90 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual Common Base and Collector
晶体管极性 NPN, PNP
典型输入电阻器 47 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 - 0.2 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 357 mW
直流电流增益（Max） 80
通道数量 2 Channel
外形参数
高度 0.6 mm
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 2.800 mg
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注
NSTB1002DXV5T1G
型号：NSTB1002DXV5T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 4000+： | ￥1.310407 |
| 8000+： | ￥1.281186 |
| 12000+： | ￥1.134795 |
| 28000+： | ￥1.120186 |
| 100000+： | ￥0.937059 |
货期：7-10天
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