
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.589442 | ¥4.59 |
| 10 | ¥2.768964 | ¥27.69 |
| 100 | ¥1.727161 | ¥172.72 |
| 500 | ¥1.275253 | ¥637.63 |
| 1000 | ¥1.128849 | ¥1128.85 |
| 2000 | ¥1.005241 | ¥2010.48 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极—基极电压 - 50 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 100 mV
最大直流电集电极电流 - 150 mA
耗散功率 100 mW
增益带宽产品 80 MHz
集电极连续电流 - 150 mA
直流集电极 120
直流电流增益(Max) 400
技术 Si
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
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0HN1A01FE-Y,LF
型号:HN1A01FE-Y,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.589442 |
| 10+: | ¥2.768964 |
| 100+: | ¥1.727161 |
| 500+: | ¥1.275253 |
| 1000+: | ¥1.128849 |
| 2000+: | ¥1.005241 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.59