BFU710F,115
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.065479 | ￥9196.44 |
| 6000 | ￥2.76882 | ￥16612.92 |
| 15000 | ￥2.571047 | ￥38565.71 |
| 30000 | ￥2.511687 | ￥75350.61 |
| 75000 | ￥2.432635 | ￥182447.63 |
| 150000 | ￥2.373275 | ￥355991.25 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
工作频率 110 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 2.8 V
发射极 - 基极电压 1 V
集电极连续电流 10 mA
耗散功率 136 mW
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Silicon Germanium
零件号别名 934064613115
单位重量 6.665 mg
BFU710F,115 同类别型号
注
BFU710F,115品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
，可在锐单商城现货采购BFU710F,115、查询BFU710F,115代理商；
BFU710F,115价格批发咨询客服；这里拥有
BFU710F,115中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到BFU710F,115
替代型号
、BFU710F,115
数据手册PDF
。
BFU710F,115
型号：BFU710F,115
品牌：NXP
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.065479 |
| 6000+： | ￥2.76882 |
| 15000+： | ￥2.571047 |
| 30000+： | ￥2.511687 |
| 75000+： | ￥2.432635 |
| 150000+： | ￥2.373275 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00