BFU710F,115
库存 ：2481
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.537175 | ￥7.54 |
| 10 | ￥6.474557 | ￥64.75 |
| 25 | ￥6.039624 | ￥150.99 |
| 100 | ￥4.485236 | ￥448.52 |
| 250 | ￥4.260356 | ￥1065.09 |
| 500 | ￥3.50145 | ￥1750.73 |
| 1000 | ￥2.846087 | ￥2846.09 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
工作频率 110 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 2.8 V
发射极 - 基极电压 1 V
集电极连续电流 10 mA
耗散功率 136 mW
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Silicon Germanium
零件号别名 934064613115
单位重量 6.665 mg
BFU710F,115 同类别型号
注
BFU710F,115品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、BFU710F,115
数据手册PDF
。
BFU710F,115
型号：BFU710F,115
品牌：NXP
供货：锐单
库存：2481 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.537175 |
| 10+： | ￥6.474557 |
| 25+： | ￥6.039624 |
| 100+： | ￥4.485236 |
| 250+： | ￥4.260356 |
| 500+： | ￥3.50145 |
| 1000+： | ￥2.846087 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.54