BFU710F,115
库存 ：2481
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.64194 | ￥8.64 |
| 10 | ￥7.423567 | ￥74.24 |
| 25 | ￥6.924886 | ￥173.12 |
| 100 | ￥5.142663 | ￥514.27 |
| 250 | ￥4.884821 | ￥1221.21 |
| 500 | ￥4.014675 | ￥2007.34 |
| 1000 | ￥3.263252 | ￥3263.25 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
工作频率 110 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 2.8 V
发射极 - 基极电压 1 V
集电极连续电流 10 mA
耗散功率 136 mW
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Silicon Germanium
零件号别名 934064613115
单位重量 6.665 mg
BFU710F,115 同类别型号
注
BFU710F,115品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、BFU710F,115
数据手册PDF
。
BFU710F,115
型号：BFU710F,115
品牌：NXP
供货：锐单
库存：2481 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.64194 |
| 10+： | ￥7.423567 |
| 25+： | ￥6.924886 |
| 100+： | ￥5.142663 |
| 250+： | ￥4.884821 |
| 500+： | ￥4.014675 |
| 1000+： | ￥3.263252 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.64