BC858CDXV6T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：4000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ￥0.374232 | ￥1496.93 |
| 8000 | ￥0.347115 | ￥2776.92 |
| 12000 | ￥0.287821 | ￥3453.85 |
| 28000 | ￥0.282762 | ￥7917.34 |
| 100000 | ￥0.225175 | ￥22517.50 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极—基极电压 - 30 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 650 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 357 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 0.1 A
直流集电极 420
技术 Si
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
BC858CDXV6T1G 同类别型号
注
BC858CDXV6T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、BC858CDXV6T1G
数据手册PDF。
BC858CDXV6T1G
型号：BC858CDXV6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 4000+： | ￥0.374232 |
| 8000+： | ￥0.347115 |
| 12000+： | ￥0.287821 |
| 28000+： | ￥0.282762 |
| 100000+： | ￥0.225175 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00