2SB1121S-TD-E
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起订量：1
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 25 V
集电极—基极电压 - 30 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 350 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 150 MHz
集电极连续电流 - 2 A
直流集电极 65
直流电流增益（Max） 400
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
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注
2SB1121S-TD-E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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数据手册PDF。
2SB1121S-TD-E
型号：2SB1121S-TD-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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