BFU590GX
库存 ：33945
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.07747 | ￥15.08 |
| 10 | ￥13.457576 | ￥134.58 |
| 25 | ￥12.779714 | ￥319.49 |
| 100 | ￥10.495664 | ￥1049.57 |
| 250 | ￥9.81157 | ￥2452.89 |
| 500 | ￥8.670418 | ￥4335.21 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar Wideband
技术 Si
晶体管极性 NPN
工作频率 900 MHz
直流集电极 60
击穿电压(集电极-发射极) 16 V
发射极 - 基极电压 2 V
集电极连续电流 80 mA
配置 Single
集电极—基极电压 24 V
直流电流增益（Max） 130
增益带宽产品 8.5 GHz
最大直流电集电极电流 300 mA
耗散功率 2000 mW
规格参数
工作温度范围 - 40 C to + 150 C
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 Wideband RF Transistor
零件号别名 934067975115
单位重量 97.726 mg
BFU590GX 同类别型号
注
BFU590GX品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、BFU590GX
数据手册PDF
。
BFU590GX
型号：BFU590GX
品牌：NXP
供货：锐单
库存：33945 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.07747 |
| 10+： | ￥13.457576 |
| 25+： | ￥12.779714 |
| 100+： | ￥10.495664 |
| 250+： | ￥9.81157 |
| 500+： | ￥8.670418 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.08