BFU590GX
库存 ：17002
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.369043 | ￥16.37 |
| 10 | ￥11.810188 | ￥118.10 |
| 25 | ￥10.665884 | ￥266.65 |
| 100 | ￥9.406846 | ￥940.68 |
| 250 | ￥8.808076 | ￥2202.02 |
| 500 | ￥8.446734 | ￥4223.37 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar Wideband
技术 Si
晶体管极性 NPN
工作频率 900 MHz
直流集电极 60
击穿电压(集电极-发射极) 16 V
发射极 - 基极电压 2 V
集电极连续电流 80 mA
配置 Single
集电极—基极电压 24 V
直流电流增益（Max） 130
增益带宽产品 8.5 GHz
最大直流电集电极电流 300 mA
耗散功率 2000 mW
规格参数
工作温度范围 - 40 C to + 150 C
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 Wideband RF Transistor
零件号别名 934067975115
单位重量 97.726 mg
BFU590GX 同类别型号
注
BFU590GX品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、BFU590GX
数据手册PDF
。
BFU590GX
型号：BFU590GX
品牌：NXP
供货：锐单
库存：17002 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.369043 |
| 10+： | ￥11.810188 |
| 25+： | ￥10.665884 |
| 100+： | ￥9.406846 |
| 250+： | ￥8.808076 |
| 500+： | ￥8.446734 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.37