
货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ¥2.781911 | ¥27.82 |
| 200 | ¥1.709246 | ¥341.85 |
| 800 | ¥1.196448 | ¥957.16 |
| 3000 | ¥0.854623 | ¥2563.87 |
| 6000 | ¥0.811789 | ¥4870.73 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 730 mA
漏源电阻 460 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.6 nC
耗散功率 690 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 40 mS
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
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0DMN3730UFB4-7
型号:DMN3730UFB4-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 10+: | ¥2.781911 |
| 200+: | ¥1.709246 |
| 800+: | ¥1.196448 |
| 3000+: | ¥0.854623 |
| 6000+: | ¥0.811789 |
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