BFU580QX
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.588174 | ￥12.59 |
| 10 | ￥11.236602 | ￥112.37 |
| 25 | ￥10.664171 | ￥266.60 |
| 100 | ￥8.761369 | ￥876.14 |
| 250 | ￥8.190528 | ￥2047.63 |
| 500 | ￥7.238067 | ￥3619.03 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar Wideband
技术 Si
晶体管极性 NPN
工作频率 900 MHz
直流集电极 60
击穿电压(集电极-发射极) 16 V
发射极 - 基极电压 2 V
集电极连续电流 30 mA
配置 Single
集电极—基极电压 24 V
直流电流增益（Max） 130
增益带宽产品 10.5 GHz
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 1000 mW
规格参数
工作温度范围 - 40 C to + 150 C
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 Wideband RF Transistor
零件号别名 934067976115
单位重量 40.337 mg
BFU580QX 同类别型号
注
BFU580QX品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、BFU580QX
数据手册PDF
。
BFU580QX
型号：BFU580QX
品牌：NXP
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.588174 |
| 10+： | ￥11.236602 |
| 25+： | ￥10.664171 |
| 100+： | ￥8.761369 |
| 250+： | ￥8.190528 |
| 500+： | ￥7.238067 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.59