
货期:(7~10天)
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥5.992689 | ¥5992.69 |
| 2000 | ¥5.593176 | ¥11186.35 |
| 5000 | ¥5.313517 | ¥26567.58 |
| 10000 | ¥5.093786 | ¥50937.86 |
| 25000 | ¥4.953955 | ¥123848.87 |
| 50000 | ¥4.794151 | ¥239707.55 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 7.7 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 5.3 V
发射极 - 基极电压 0.6 V
集电极连续电流 100 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 1.6 W
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
单位重量 50 mg
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0MT3S113P(TE12L,F)
型号:MT3S113P(TE12L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥5.992689 |
| 2000+: | ¥5.593176 |
| 5000+: | ¥5.313517 |
| 10000+: | ¥5.093786 |
| 25000+: | ¥4.953955 |
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