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SI8800EDB-T2-E1

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI8800EDB-T2-E1
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 6.03717 6.04
10 5.173026 51.73
100 3.861421 386.14
500 3.033738 1516.87
1000 2.344316 2344.32

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 2.8 A

漏源电阻 80 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 8.3 nC

耗散功率 900 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 279.143 mg

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SI8800EDB-T2-E1

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型号:SI8800EDB-T2-E1

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥6.03717
10+: ¥5.173026
100+: ¥3.861421
500+: ¥3.033738
1000+: ¥2.344316

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