
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.952588 | ¥2857.76 |
| 6000 | ¥0.90418 | ¥5425.08 |
| 9000 | ¥0.839558 | ¥7556.02 |
| 30000 | ¥0.820219 | ¥24606.57 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 2.4 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
正向跨导(Min) 43 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 5.3 ns
开发套件 BOOSTXL-ULN2003
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 5.600 mg
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0CSD17571Q2
型号:CSD17571Q2
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.952588 |
| 6000+: | ¥0.90418 |
| 9000+: | ¥0.839558 |
| 30000+: | ¥0.820219 |
货期:1-2天
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