
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.191088 | ¥3573.26 |
| 6000 | ¥1.130534 | ¥6783.20 |
| 9000 | ¥1.049756 | ¥9447.80 |
| 30000 | ¥1.025524 | ¥30765.72 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 7.1 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 18.5 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-E3
单位重量 8 mg
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0SI2333CDS-T1-E3
型号:SI2333CDS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.191088 |
| 6000+: | ¥1.130534 |
| 9000+: | ¥1.049756 |
| 30000+: | ¥1.025524 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00