货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.476431 | ¥7.48 |
10 | ¥6.379889 | ¥63.80 |
100 | ¥4.437263 | ¥443.73 |
500 | ¥3.464329 | ¥1732.16 |
1000 | ¥2.815874 | ¥2815.87 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 7.1 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 18.5 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-E3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2333CDS-T1-E3
型号:SI2333CDS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.476431 |
10+: | ¥6.379889 |
100+: | ¥4.437263 |
500+: | ¥3.464329 |
1000+: | ¥2.815874 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.48