
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.572293 | ¥8.57 |
| 10 | ¥7.315024 | ¥73.15 |
| 100 | ¥5.087657 | ¥508.77 |
| 500 | ¥3.972115 | ¥1986.06 |
| 1000 | ¥3.228613 | ¥3228.61 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 7.1 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 18.5 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-E3
单位重量 8 mg
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0SI2333CDS-T1-E3
型号:SI2333CDS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.572293 |
| 10+: | ¥7.315024 |
| 100+: | ¥5.087657 |
| 500+: | ¥3.972115 |
| 1000+: | ¥3.228613 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.57