SQ2318AES-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ2318AES-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 40V SOT23
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.779914 | ￥8.78 |
| 10 | ￥7.511704 | ￥75.12 |
| 100 | ￥5.610783 | ￥561.08 |
| 500 | ￥4.408074 | ￥2204.04 |
| 1000 | ￥3.406189 | ￥3406.19 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 8.7 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.7 ns
上升时间 8.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ2318AES-T1_BE3
单位重量 8 mg
SQ2318AES-T1_GE3 同类别型号
注
SQ2318AES-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQ2318AES-T1_GE3
数据手册PDF。
SQ2318AES-T1_GE3
型号：SQ2318AES-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.779914 |
| 10+： | ￥7.511704 |
| 100+： | ￥5.610783 |
| 500+： | ￥4.408074 |
| 1000+： | ￥3.406189 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.78