搜索

SQ2318AES-T1_GE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SQ2318AES-T1_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CHAN 40V SOT23
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.657278 7.66
10 6.551227 65.51
100 4.893366 489.34
500 3.84444 1922.22
1000 2.97066 2970.66

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 8 A

漏源电阻 31 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 8.7 nC

耗散功率 3 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 5.7 ns

上升时间 8.4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 12 ns

典型接通延迟时间 7.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 SQ2318AES-T1_BE3

单位重量 8 mg

SQ2318AES-T1_GE3 相关产品

SQ2318AES-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SQ2318AES-T1_GE3、查询SQ2318AES-T1_GE3代理商; SQ2318AES-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SQ2318AES-T1_GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SQ2318AES-T1_GE3 替代型号 、SQ2318AES-T1_GE3 数据手册PDF

购物车

SQ2318AES-T1_GE3

锐单logo

型号:SQ2318AES-T1_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥7.657278
10+: ¥6.551227
100+: ¥4.893366
500+: ¥3.84444
1000+: ¥2.97066

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥7.66