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SIB456DK-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIB456DK-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
渠道:
自营
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库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 1.048296 1.05
10 0.860188 8.60
30 0.779526 23.39
100 0.679013 67.90
500 0.634166 317.08

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 6.3 A

漏源电阻 153 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.6 V

栅极电荷 5 nC

耗散功率 13 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 13 ns

正向跨导(Min) 3.7 S

上升时间 45 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 11 ns

典型接通延迟时间 15 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 96 mg

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SIB456DK-T1-GE3

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型号:SIB456DK-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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1+: ¥1.048296
10+: ¥0.860188
30+: ¥0.779526
100+: ¥0.679013
500+: ¥0.634166

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