
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1.048296 | ¥1.05 |
| 10 | ¥0.860188 | ¥8.60 |
| 30 | ¥0.779526 | ¥23.39 |
| 100 | ¥0.679013 | ¥67.90 |
| 500 | ¥0.634166 | ¥317.08 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 6.3 A
漏源电阻 153 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 3.7 S
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 96 mg
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0SIB456DK-T1-GE3
型号:SIB456DK-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥1.048296 |
| 10+: | ¥0.860188 |
| 30+: | ¥0.779526 |
| 100+: | ¥0.679013 |
| 500+: | ¥0.634166 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.05