
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.508574 | ¥7.51 |
| 10 | ¥6.431873 | ¥64.32 |
| 100 | ¥4.799819 | ¥479.98 |
| 500 | ¥3.771287 | ¥1885.64 |
| 1000 | ¥2.914177 | ¥2914.18 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 6.3 A
漏源电阻 153 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 3.7 S
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 96 mg
购物车
0SIB456DK-T1-GE3
型号:SIB456DK-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.508574 |
| 10+: | ¥6.431873 |
| 100+: | ¥4.799819 |
| 500+: | ¥3.771287 |
| 1000+: | ¥2.914177 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.51