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SI2336DS-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI2336DS-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 6.03717 6.04
10 5.125676 51.26
100 3.828276 382.83
500 3.007931 1503.97
1000 2.324311 2324.31

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 5.2 A

漏源电阻 42 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 10 nC

耗散功率 1.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10 ns

上升时间 10 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 20 ns

典型接通延迟时间 6 ns

外形参数

高度 1.45 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI2336DS-T1-BE3 SI2336DS-GE3

单位重量 8 mg

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SI2336DS-T1-GE3

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型号:SI2336DS-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥6.03717
10+: ¥5.125676
100+: ¥3.828276
500+: ¥3.007931
1000+: ¥2.324311

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