SI2336DS-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI2336DS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.922282 | ￥6.92 |
| 10 | ￥5.877153 | ￥58.77 |
| 100 | ￥4.389541 | ￥438.95 |
| 500 | ￥3.448925 | ￥1724.46 |
| 1000 | ￥2.665078 | ￥2665.08 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.2 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2336DS-T1-BE3 SI2336DS-GE3
单位重量 8 mg
SI2336DS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2336DS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI2336DS-T1-GE3、查询SI2336DS-T1-GE3代理商；
SI2336DS-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI2336DS-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI2336DS-T1-GE3
替代型号
、SI2336DS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2336DS-T1-GE3
型号：SI2336DS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.922282 |
| 10+： | ￥5.877153 |
| 100+： | ￥4.389541 |
| 500+： | ￥3.448925 |
| 1000+： | ￥2.665078 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.92