
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.566975 | ¥8.57 |
| 10 | ¥5.736814 | ¥57.37 |
| 100 | ¥3.905624 | ¥390.56 |
| 500 | ¥3.063919 | ¥1531.96 |
| 1000 | ¥2.785492 | ¥2785.49 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
产品 MOSFETs
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 92 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0SSM3K361R,LF
型号:SSM3K361R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.566975 |
| 10+: | ¥5.736814 |
| 100+: | ¥3.905624 |
| 500+: | ¥3.063919 |
| 1000+: | ¥2.785492 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.57