货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.282772 | ¥3848.32 |
6000 | ¥1.217605 | ¥7305.63 |
9000 | ¥1.130611 | ¥10175.50 |
30000 | ¥1.104545 | ¥33136.35 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 330 mA
漏源电阻 2.25 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 600 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 100 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1022R-GE3
单位重量 2.400 mg
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0SI1022R-T1-GE3
型号:SI1022R-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.282772 |
6000+: | ¥1.217605 |
9000+: | ¥1.130611 |
30000+: | ¥1.104545 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00