SI2318DS-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI2318DS-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.001165 | ￥3003.50 |
| 6000 | ￥0.950265 | ￥5701.59 |
| 9000 | ￥0.882418 | ￥7941.76 |
| 30000 | ￥0.862023 | ￥25860.69 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 11 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2318DS-T1-BE3 SI2318DS-T1
单位重量 8 mg
SI2318DS-T1-E3 同类别型号
注
SI2318DS-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI2318DS-T1-E3
数据手册PDF。
SI2318DS-T1-E3
型号：SI2318DS-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.001165 |
| 6000+： | ￥0.950265 |
| 9000+： | ￥0.882418 |
| 30000+： | ￥0.862023 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00