货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.23609 | ¥3708.27 |
6000 | ¥1.173247 | ¥7039.48 |
9000 | ¥1.08948 | ¥9805.32 |
30000 | ¥1.064299 | ¥31928.97 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2318DS-T1-BE3 SI2318DS-T1
单位重量 8 mg
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0SI2318DS-T1-E3
型号:SI2318DS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.23609 |
6000+: | ¥1.173247 |
9000+: | ¥1.08948 |
30000+: | ¥1.064299 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00