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SI2309CDS-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI2309CDS-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
渠道:
digikey

库存 :24010

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 6.604181 6.60
10 5.644706 56.45
100 3.926372 392.64
500 3.065837 1532.92
1000 2.491895 2491.89

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 1.6 A

漏源电阻 345 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 2.7 nC

耗散功率 1.7 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10 ns

上升时间 10 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 15 ns

典型接通延迟时间 5 ns

外形参数

高度 1.45 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI2309CDS-T1-BE3 SI2309CDS-GE3

单位重量 8 mg

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SI2309CDS-T1-GE3

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型号:SI2309CDS-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:24010 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥6.604181
10+: ¥5.644706
100+: ¥3.926372
500+: ¥3.065837
1000+: ¥2.491895

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