CSD16301Q2
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- 制造商编号：
- CSD16301Q2
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 6-SON
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.108005 | ￥3324.01 |
| 6000 | ￥1.015135 | ￥6090.81 |
| 9000 | ￥0.967784 | ￥8710.06 |
| 15000 | ￥0.914625 | ￥13719.38 |
| 21000 | ￥0.883121 | ￥18545.54 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 2 nC
耗散功率 15 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 4.1 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.700 mg
CSD16301Q2 同类别型号
注
CSD16301Q2品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD16301Q2
数据手册PDF
。
CSD16301Q2
型号：CSD16301Q2
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.108005 |
| 6000+： | ￥1.015135 |
| 9000+： | ￥0.967784 |
| 15000+： | ￥0.914625 |
| 21000+： | ￥0.883121 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00