货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.627629 | ¥4882.89 |
6000 | ¥1.52266 | ¥9135.96 |
15000 | ¥1.417623 | ¥21264.35 |
30000 | ¥1.344131 | ¥40323.93 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 268 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 8.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ2309ES-T1_BE3
单位重量 12 mg
购物车
0SQ2309ES-T1_GE3
型号:SQ2309ES-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.627629 |
6000+: | ¥1.52266 |
15000+: | ¥1.417623 |
30000+: | ¥1.344131 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00