
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.5445 | ¥12.54 |
| 10 | ¥7.756173 | ¥77.56 |
| 100 | ¥5.02239 | ¥502.24 |
| 500 | ¥3.843513 | ¥1921.76 |
| 1000 | ¥3.463354 | ¥3463.35 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8.5 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10.3 nC
耗散功率 8.49 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.7 ns
正向跨导(Min) 19.7 S
上升时间 10.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.9 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMN6068LK3-13
型号:DMN6068LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.5445 |
| 10+: | ¥7.756173 |
| 100+: | ¥5.02239 |
| 500+: | ¥3.843513 |
| 1000+: | ¥3.463354 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.54