SIA427DJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA427DJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.246094 | ￥3738.28 |
| 6000 | ￥1.20587 | ￥7235.22 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 50 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA427DJ-GE3
单位重量 11.688 g
SIA427DJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA427DJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIA427DJ-T1-GE3、查询SIA427DJ-T1-GE3代理商；
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替代型号
、SIA427DJ-T1-GE3
数据手册PDF。
SIA427DJ-T1-GE3
型号：SIA427DJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.246094 |
| 6000+： | ￥1.20587 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00