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SIA427DJ-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIA427DJ-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.413613 7.41
10 6.375707 63.76
100 4.757068 475.71
500 3.737695 1868.85
1000 2.888222 2888.22

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 8 V

漏极电流 12 A

漏源电阻 95 mOhms

栅极电压 - 5 V, + 5 V

栅源极阈值电压 800 mV

栅极电荷 50 nC

耗散功率 19 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 0.75 mm

长度 2.05 mm

宽度 2.05 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIA427DJ-GE3

单位重量 11.688 g

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SIA427DJ-T1-GE3

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型号:SIA427DJ-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥7.413613
10+: ¥6.375707
100+: ¥4.757068
500+: ¥3.737695
1000+: ¥2.888222

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