货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.327821 | ¥3983.46 |
6000 | ¥1.260296 | ¥7561.78 |
9000 | ¥1.17024 | ¥10532.16 |
30000 | ¥1.143287 | ¥34298.61 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 4.4 A
漏源电阻 77 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-GE3
单位重量 8 mg
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0SI2319CDS-T1-GE3
型号:SI2319CDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.327821 |
6000+: | ¥1.260296 |
9000+: | ¥1.17024 |
30000+: | ¥1.143287 |
货期:1-2天
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