
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.28655 | ¥8.29 |
| 10 | ¥7.086429 | ¥70.86 |
| 100 | ¥4.926211 | ¥492.62 |
| 500 | ¥3.846103 | ¥1923.05 |
| 1000 | ¥3.126174 | ¥3126.17 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 72 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 124 ns
正向跨导(Min) 42 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 291 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMP2008UFG-7
型号:DMP2008UFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.28655 |
| 10+: | ¥7.086429 |
| 100+: | ¥4.926211 |
| 500+: | ¥3.846103 |
| 1000+: | ¥3.126174 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.29