SBC847BPDW1T1G
库存 ：500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.360534 | ￥6.36 |
| 10 | ￥4.770401 | ￥47.70 |
| 100 | ￥2.697927 | ￥269.79 |
| 500 | ￥1.78678 | ￥893.39 |
| 1000 | ￥1.369769 | ￥1369.77 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 45 V, - 45 V
集电极—基极电压 50 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 6 V, - 6 V
饱和电压 600 mV, - 650 mV
最大直流电集电极电流 100 mA, - 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 0.1 A
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
SBC847BPDW1T1G 同类别型号
注
SBC847BPDW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、SBC847BPDW1T1G
数据手册PDF。
SBC847BPDW1T1G
型号：SBC847BPDW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.360534 |
| 10+： | ￥4.770401 |
| 100+： | ￥2.697927 |
| 500+： | ￥1.78678 |
| 1000+： | ￥1.369769 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.36