SBC847BDW1T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.586261 | ￥1758.78 |
| 6000 | ￥0.560517 | ￥3363.10 |
| 9000 | ￥0.484801 | ￥4363.21 |
| 30000 | ￥0.475715 | ￥14271.45 |
| 75000 | ￥0.39387 | ￥29540.25 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 200 at 2 mA, 5 V
直流电流增益（Max） 450 at 2 mA, 5 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
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注
SBC847BDW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、SBC847BDW1T1G
数据手册PDF。
SBC847BDW1T1G
型号：SBC847BDW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.586261 |
| 6000+： | ￥0.560517 |
| 9000+： | ￥0.484801 |
| 30000+： | ￥0.475715 |
| 75000+： | ￥0.39387 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00