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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 112 nC
耗散功率 312 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 41 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 23 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0FCB36N60NTM
型号:FCB36N60NTM
品牌:ON
供货:锐单
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