货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.162976 | ¥488.93 |
6000 | ¥0.146716 | ¥880.30 |
9000 | ¥0.138336 | ¥1245.02 |
15000 | ¥0.12883 | ¥1932.45 |
21000 | ¥0.123139 | ¥2585.92 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 310 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.3 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.6 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN65D8L-7
型号:DMN65D8L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.162976 |
6000+: | ¥0.146716 |
9000+: | ¥0.138336 |
15000+: | ¥0.12883 |
21000+: | ¥0.123139 |
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