FDMS1D4N03S
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- 制造商编号：
- FDMS1D4N03S
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：5108
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥28.050877 | ￥28.05 |
| 10 | ￥25.14662 | ￥251.47 |
| 100 | ￥20.212215 | ￥2021.22 |
| 500 | ￥16.606119 | ￥8303.06 |
| 1000 | ￥13.759239 | ￥13759.24 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDMS1D4N03S
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
PowerTrench®, SyncFET™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
211A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.09mOhm @ 38A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
65nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
10250pF @ 15V
FET 功能
Schottky Diode (Body)
功率耗散（最大值）
74W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-PQFN (5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
FDMS1D4N03S 同类别型号
注
FDMS1D4N03S品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FDMS1D4N03S
数据手册PDF。
FDMS1D4N03S
型号：FDMS1D4N03S
品牌：ON
供货：锐单
库存：5108 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥28.050877 |
| 10+： | ￥25.14662 |
| 100+： | ￥20.212215 |
| 500+： | ￥16.606119 |
| 1000+： | ￥13.759239 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥28.05