货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.778385 | ¥5.78 |
10 | ¥4.668935 | ¥46.69 |
100 | ¥3.176957 | ¥317.70 |
500 | ¥2.382775 | ¥1191.39 |
1000 | ¥1.787138 | ¥1787.14 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 34 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 2.3 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.7 ns
正向跨导(Min) 23 S
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.4 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.100 mg
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0CSD13201W10
型号:CSD13201W10
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.778385 |
10+: | ¥4.668935 |
100+: | ¥3.176957 |
500+: | ¥2.382775 |
1000+: | ¥1.787138 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.78