
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥37.591656 | ¥37.59 |
| 10 | ¥33.750413 | ¥337.50 |
| 100 | ¥27.652576 | ¥2765.26 |
| 500 | ¥23.540038 | ¥11770.02 |
| 1000 | ¥19.853101 | ¥19853.10 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 220 nC
耗散功率 340 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP3077PBF SP001566982
单位重量 6 g
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0IRFP3077PBF
型号:IRFP3077PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥37.591656 |
| 10+: | ¥33.750413 |
| 100+: | ¥27.652576 |
| 500+: | ¥23.540038 |
| 1000+: | ¥19.853101 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥37.59