
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.788359 | ¥3.79 |
| 10 | ¥2.318477 | ¥23.18 |
| 100 | ¥1.442607 | ¥144.26 |
| 500 | ¥1.058317 | ¥529.16 |
| 1000 | ¥0.933907 | ¥933.91 |
| 2000 | ¥0.828893 | ¥1657.79 |
| 5000 | ¥0.714939 | ¥3574.70 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 340 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
高度 0.38 mm
长度 0.8 mm
宽度 0.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.550 mg
购物车
0SSM3K35CTC,L3F
型号:SSM3K35CTC,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.788359 |
| 10+: | ¥2.318477 |
| 100+: | ¥1.442607 |
| 500+: | ¥1.058317 |
| 1000+: | ¥0.933907 |
| 2000+: | ¥0.828893 |
| 5000+: | ¥0.714939 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.79