
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.027705 | ¥3083.12 |
| 6000 | ¥0.975464 | ¥5852.78 |
| 9000 | ¥0.905771 | ¥8151.94 |
| 30000 | ¥0.8849 | ¥26547.00 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 8.5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E030AT
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0RQ6E030ATTCR
型号:RQ6E030ATTCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.027705 |
| 6000+: | ¥0.975464 |
| 9000+: | ¥0.905771 |
| 30000+: | ¥0.8849 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00