
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.117928 | ¥8.12 |
| 10 | ¥7.773948 | ¥77.74 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 330 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 49 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP4227PBF SP001560510
单位重量 6 g
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0IRFP4227PBF
型号:IRFP4227PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.117928 |
| 10+: | ¥7.773948 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.12