
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.42932 | ¥7.43 |
| 10 | ¥6.314923 | ¥63.15 |
| 100 | ¥4.389015 | ¥438.90 |
| 500 | ¥3.427203 | ¥1713.60 |
| 1000 | ¥2.78571 | ¥2785.71 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 8.5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E030AT
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0RQ6E030ATTCR
型号:RQ6E030ATTCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.42932 |
| 10+: | ¥6.314923 |
| 100+: | ¥4.389015 |
| 500+: | ¥3.427203 |
| 1000+: | ¥2.78571 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.43