SIHJ6N65E-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIHJ6N65E-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥28.941531 | ￥28.94 |
| 10 | ￥25.995465 | ￥259.95 |
| 100 | ￥20.889816 | ￥2088.98 |
| 500 | ￥17.163496 | ￥8581.75 |
| 1000 | ￥14.711513 | ￥14711.51 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.6 A
漏源电阻 755 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIHJ6N65E-T1-GE3 同类别型号
注
SIHJ6N65E-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHJ6N65E-T1-GE3
数据手册PDF。
SIHJ6N65E-T1-GE3
型号：SIHJ6N65E-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥28.941531 |
| 10+： | ￥25.995465 |
| 100+： | ￥20.889816 |
| 500+： | ￥17.163496 |
| 1000+： | ￥14.711513 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥28.94