货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥25.241714 | ¥25.24 |
10 | ¥22.672266 | ¥226.72 |
100 | ¥18.219311 | ¥1821.93 |
500 | ¥14.969356 | ¥7484.68 |
1000 | ¥12.830827 | ¥12830.83 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.6 A
漏源电阻 755 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIHJ6N65E-T1-GE3
型号:SIHJ6N65E-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥25.241714 |
10+: | ¥22.672266 |
100+: | ¥18.219311 |
500+: | ¥14.969356 |
1000+: | ¥12.830827 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.24