货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.072321 | ¥10.07 |
10 | ¥8.265018 | ¥82.65 |
100 | ¥6.426998 | ¥642.70 |
500 | ¥5.447769 | ¥2723.88 |
1000 | ¥4.437822 | ¥4437.82 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 3.4 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 75 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FQP3N60C
型号:FQP3N60C
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.072321 |
10+: | ¥8.265018 |
100+: | ¥6.426998 |
500+: | ¥5.447769 |
1000+: | ¥4.437822 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.07